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擦写读的边界
内容
NAND 的三种基本动作不是对称操作：擦除以 Block 为单位清空，写入把电子注入浮栅，读取用参考电压判断导通状态。这解释了为什么随机小写难处理，也解释了页写、块擦的颗粒度冲突。
参考来源
- 位置：《深入浅出SSD：固态存储核心技术、原理与实战》第3章《SSD存储介质：闪存》（源文件：_epub-src/OEBPS/text00050.html）
- 结论依据：原文分别说明擦除、写、读的电压与状态变化，并指出擦除完成一个 Block，因此可推出页写块擦的颗粒度冲突。
- 原始内容：闪存的基本操作是读、写、擦……经过足够时间后，由于量子隧道效应，电子从浮栅到沟道里面，完成一个Block的擦除。