3D NAND用垂直堆叠突破2D制程瓶颈

2D NAND提升密度只能靠把晶圆平面上的存储单元做得越来越小，但制程越先进氧化层越薄，可靠性和性能反而下降，厂商要花额外成本弥补，最终这条路会走到收益抵不过代价的临界点。3D NAND换了一个维度解决问题：不再压缩单元的平面尺寸，而是像盖楼一样在垂直方向堆叠存储单元层数，同样的占地面积可以容纳数十倍的存储单元。发散：这是”当水平方向的优化触及物理极限时，向另一个维度要空间”的通用思路，CPU从提升主频转向多核化、数据中心从单机堆料转向横向扩展节点，本质上都是同一种”维度切换”策略。