3D XPoint填补DRAM与NAND之间的性能鸿沟

DRAM延迟在十几纳秒级别但断电即丢数据，NAND非易失但延迟高达上百微秒，两者之间存在巨大的性能鸿沟，导致以往的存储层次模型只能在”快而贵且易失”和”慢而便宜且非易失”之间二选一。3D XPoint通过取消传统存储单元里的电容和晶体管、直接用可变电阻材质的相变来存数据，在同一颗粒子里同时获得了接近DRAM的低延迟和NAND的非易失特性，在存储层次里开辟出一个介于两者之间的全新中间层。发散：这提醒我们，很多”要不要在AB之间取舍”的架构难题，本质是当前技术手段的局限，一旦底层介质/机制发生质变，原本被认为不可兼得的特性完全可能同时满足。